HSBA15810C دیتاشیت

HSBA15810C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA15810C
حجم فایل 66.88 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBA15810C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA15810C
  • Power Dissipation (Pd): 208W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,30A
  • Package: PQFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه